卓度首页 > 能源燃料 > 溶剂助剂加工 > 正文
货到付款 加微信送1项 可定制
产品封面

积法制膜生产加工工艺制备技术大全

(1010731-0119-0001) 积层聚酯薄膜及其制造方法 (技术说明) 本发明提供一种积层聚酯薄膜,其在聚酯薄膜的至少一面上设置了涂布层,该涂布层含有高分子粘合剂和平均粒径在200~2000nm范围

  • 2020-03-16 10:06

立即购买

  • 资料列表
  • 常见问题
  • 购买方式

1、资料价值:囊括了该行业从1985年到年间大部分专利文献,是行业内新颖独特技术的汇集,代表行业先进的核心技术和经验,具有很高的研究参考价值。

2、售后服务:购买本套资料可享两个售后服务,1)、如U盘或者移动硬盘丢失,可免费通过网传补发;2)、今后如有本套新资料出现,免费赠送,如有需要可每六个月主动联系我们免费索取,【注:免费服务期为3年】。服务热线: 客服微信:

如果没找到?《可加微信让客服找》
(1010731-0119-0001) 积层聚酯薄膜及其制造方法
(技术说明) 本发明提供一种积层聚酯薄膜,其在聚酯薄膜的至少一面上设置了涂布层,该涂布层含有高分子粘合剂和平均粒径在200~2000nm范围的无机有机复合粒子。该薄膜具有优异的耐磨性、粘接性、透明性和光滑性,可用于光学用易粘接性薄膜。
(1010731-0134-0002) 沉积阴影掩膜保护的多层阴影掩膜结构及其制造和使用方法
(技术说明) 本发明提供了一种多层阴影掩膜及其使用方法。所述多层阴影掩膜包括与沉积掩膜结合的牺牲掩膜。所述牺牲掩膜对沉积掩膜上蒸发物的累积提供保护以防止沉积掩膜变形。
(1010731-0105-0003) 一种微波水热电沉积制备涂层或薄膜的方法及装置
(技术说明) 一种微波水热电沉积制备涂层或薄膜的方法及装置,该装置包括水热釜体以及设置在水热釜体内的与电源相连接的电极水热釜体置于与继电器电连接的微波炉体内,在水热釜体内还设置有与继电器相连接的温度传感器。本发明将阴、阳电极均置于反应釜体内,从而将电沉积与水热技术融为一体;将水热釜体置入微波炉的微波场中,充分利用微波的能量,使制备的薄膜或涂层在较低温度下即可达到所需的结合强度,一般在300℃制备的薄膜或涂层,其结合强度就可以达到10Mpa。
(1010731-0112-0004) 低升华温度高沉积温度金属氧化物准一维纳米结构及其薄膜制备方法
(技术说明) 本发明涉及一种制备低升华温度高沉积温度金属氧化物准一维纳米结构及其薄膜的方法。发明的特点是在真空中、沉积温度高于蒸发源温度条件下,蒸发源蒸发并沉积在衬底基板上形成准一维纳米结构及其薄膜。在一定真空条件下,不需要通入保护气氛,沉积基板位于高温区金属蒸发源位于低温区并缓慢而稳定地蒸发;通入少量氧气,使其反应形成氧化物,并沉积在基板上形成准一维纳米结构及其薄膜。所制备的金属氧化物例如氧化镁、氧化锌、氧化铬准一维纳米材料在电子器件中有潜在的应用。
(1010731-0130-0005) 金属有机化学气相沉积法用原料液以及使用该原料液制备含Hf-Si的复合氧化物膜的方法
(技术说明) 本发明提供具有高成膜速度的MOCVD法用原料液以及使用该原料液制备含Hf-Si的复合氧化物膜的方法。本发明还提供使用与基底的贴合性良好的MOCVD法用原料液制备含Hf-Si的复合氧化物膜的方法。本发明的MOCVD法用原料液的特征在于:将由(R1
(1010731-0056-0006) 电沉积壳聚糖-离子液体-酶复合膜制备修饰电极的方法
(技术说明) 本发明公开了一种电沉积壳聚糖-离子液体-酶复合膜制备修饰电极的方法,其特征在于:制备修饰时将电极作为阴极置入含壳聚糖、离子液体和酶的酸性溶液中,通电进行电沉积,壳聚糖、离子液体和酶附着在阴电极表面,得到修饰电极。本发明电沉积壳聚糖-离子液体-酶复合膜制备修饰电极的方法,条件温和,简便快捷,壳聚糖-离子液体-酶复合膜厚度可控,并可根据需要控制酶固定量。
(1010731-0097-0007) 在水溶液中大面积快速制备一维氧化锌阵列薄膜的方法
(技术说明) 本发明公开了一种在水溶液中大面积快速制备一维ZnO阵列薄膜的方法,依次包括如下步骤:(1)将化学纯的ZnNO3
(1010731-0108-0008) 制备MoO2 粉末的方法、由MoO2 粉末制备的产品、MoO2 薄膜的沉积以及使用这种材料的方法
(技术说明) 本发明涉及在旋转或舟形炉中,通过使用氢作为还原剂,还原钼酸铵或三氧化钼得到的高纯MoO2
(1010731-0083-0009) 阻透性层积膜及其制造方法
(技术说明) 本发明提供一种不必担心因交联而降低透明性的透明性好、高湿度下阻透性好的阻透性层积膜及其制造方法。它提供特征在于:在基材薄膜的至少一面上层积包括乙烯含量为1~19摩尔%的乙烯-乙烯醇共聚物(b1)和(甲基)丙烯酸类共聚物的组合物(b3)的层的阻透层的阻透性层积膜。就基材薄膜而言,在使用薄膜表面形成有无机氧化物蒸镀层的薄膜或在薄膜表面形成有改性丙烯聚合物层的OPP薄膜时,能得到基材粘合性更好的阻透性层积膜。
(1010731-0029-0010) 利用原子层沉积制备薄膜的方法
(技术说明) 本发明提供了一种薄膜制备方法。该方法通过在基片上致密化学吸附第一种反应剂和第二种反应剂,从而利用化学交换形成固态薄膜。根据本发明,由于该第一种反应剂和该第二种反应剂是致密化学吸附的并且通过清洗或抽气完全去除了杂质,故有可能制备膜密度高的精确化学计量薄膜。
(1010731-0104-0011) 薄膜电容元件用组合物、高介电常数绝缘膜、薄膜电容元件、薄膜积层电容器及薄膜电容元件的制造方法
(1010731-0005-0012) 物理气相沉积制备大面积氧化锌纳米线膜层的方法
(1010731-0031-0013) 制备硬质薄膜的电化学沉积方法
(1010731-0120-0014) 液相电沉积制备类金刚石薄膜的方法
(1010731-0118-0015) 薄膜积层基板、其制造方法及设有该基板的液晶显示装置
(1010731-0085-0016) 脉冲激光淀积法制备低温相偏硼酸钡单晶薄膜
(1010731-0050-0017) 快速大面积制备薄膜材料的装置及设置方法
(1010731-0133-0018) 低温直接沉积多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
(1010731-0044-0019) 氧等离子体辅助脉冲激光沉积法制备二氧化硅薄膜的方法
(1010731-0074-0020) 掺杂碳的二氧化硅膜的沉积方法与金属内连线的制造方法
(1010731-0140-0021) 中性pH条件双电位阶跃电沉积制备铜铟硒薄膜的方法
(1010731-0063-0022) 一种碳纳米管薄膜的电泳沉积制备方法
(1010731-0137-0023) 通过MOCVD(金属有机化学汽相淀积)法制备ZnO透明导电膜的方法
(1010731-0070-0024) 脉冲激光沉积制备γ-LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底的方法
(1010731-0079-0025) 大面积内部并联染料敏化纳米薄膜太阳电池及其制作方法
(1010731-0017-0026) 采用微波等离子法连续制成大面积功能淀积薄膜的方法以及适用该方法的设备
(1010731-0110-0027) 采用物理气相沉积法制备二硫化钨固体润滑膜的方法
(1010731-0103-0028) 氮化硅膜的沉积制造方法及沉积系统
(1010731-0088-0029) 在复杂形状刀具上制备金刚石薄膜的化学气相沉积方法
(1010731-0012-0030) 沉积薄膜及其制造方法
(1010731-0136-0031) 非密堆积胶体晶体薄膜的热压制备方法
(1010731-0055-0032) 制备大面积双面铊系薄膜的退火方法
(1010731-0146-0033) 通过化学气相沉积制备形状记忆膜的方法和由其制得的形状记忆器件
(1010731-0042-0034) 一种制备二氧化钛凝胶膜的气相沉积方法
(1010731-0116-0035) 用于原位薄膜堆积制程的方法及装置
(1010731-0046-0036) 脉冲激光沉积制备硅基锐钛矿相TiO2薄膜的方法
(1010731-0124-0037) 等离子辅助反应热化学气相沉积法制备微晶硅锗薄膜
(1010731-0076-0038) 偏光膜的制造方法偏光板以及光学积层体
(1010731-0106-0039) 一种超声水热电沉积制备涂层或薄膜的方法及其装置
(1010731-0114-0040) 利用电磁场约束电感耦合等离子体溅射沉积法制备ZnO基稀磁半导体薄膜
(1010731-0045-0041) 脉冲激光沉积制备硅基金红石相TiO2薄膜的方法
(1010731-0064-0042) 一种制备大面积铁电薄膜的方法
(1010731-0139-0043) 改进的电化学沉积工艺制备单一c轴取向氧化锌薄膜方法
(1010731-0072-0044) 一种在水溶液中电沉积制备硫氰酸亚铜薄膜的方法
(1010731-0027-0045) 用化学汽相沉积制作薄膜的方法和装置
(1010731-0057-0046) 抗碳沉积阳极膜材及其制备方法
(1010731-0092-0047) 改进的光催化沉积制备担载钯膜的方法
(1010731-0135-0048) 制备网状纳米阵列铁磁性薄膜的物理气相沉积方法
(1010731-0067-0049) 监测金属腐蚀的沉积膜光纤传感器及其制备方法
(1010731-0113-0050) 电泳沉积低温制备二氧化钛纳晶多孔薄膜电极的制备方法
(1010731-0035-0051) 金属表面钙磷陶瓷/壳聚糖生物活性复合膜层及其电化学共沉积制备方法
(1010731-0093-0052) 借由控制膜层生成前驱物来控制所沉积氮化硅膜的性质及均一性的方法
(1010731-0014-0053) 大面积金钢石薄膜的制造装置及制造方法
(1010731-0015-0054) 薄膜制备方法和淀积设备
(1010731-0143-0055) 电沉积壳聚糖-染料-酶复合膜制备修饰电极的方法
(1010731-0021-0056) 低压化学气相沉积Ta2O5的低漏电流薄膜的制作方法
(1010731-0084-0057) 用化学气相沉积法由烷氧化铋制备铁电薄膜
(1010731-0071-0058) 金属有机物沉积制备高温超导薄膜的方法
(1010731-0145-0059) 高速沉积优质本征微晶硅薄膜的制备方法
(1010731-0144-0060) 均匀大面积光线增透镀膜太阳能电池封装玻璃及制作方法
(1010731-0099-0061) 薄膜电容元件用组合物、高介电常数绝缘膜、薄膜电容元件、薄膜积层电容器及薄膜电容元件的制造方法
(1010731-0065-0062) 超薄自支撑聚酰亚胺滤光薄膜的物理气相沉积制备方法
(1010731-0006-0063) 射频台式硅二极管电泳沉积玻璃钝化共形膜制备方法
(1010731-0096-0064) 用于陶瓷和金属薄膜沉积的前体化合物及其制备方法
(1010731-0016-0065) 制备沉积膜的方法
(1010731-0003-0066) 紫外光子复合辉光放电化学气相沉积制备金刚石薄膜的方法
(1010731-0041-0067) 有机金属铜络合物的铜薄膜的化学汽相淀积制备法
(1010731-0109-0068) 一种低温化学气相沉积制备氮化硅薄膜的方法
(1010731-0052-0069) 包含具高表面积颗粒的液晶光电膜及其制作方法
(1010731-0028-0070) 在衬底表面上淀积膜的方法和由该方法制造的衬底
(1010731-0001-0071) 具有优良防积垢特性的反渗透分离膜及其制造方法
(1010731-0004-0072) 可制备平整的薄膜材料的脉冲激光沉积方法及其装置
(1010731-0033-0073) 利用化学蒸汽沉积法形成氧化铝膜的化合物和制备该化合物的方法
(1010731-0073-0074) 采用脉冲激光沉积工艺制备大面积超导薄膜的方法和装置
(1010731-0132-0075) 电子水泡表面低温沉积电容薄膜的制备方法
(1010731-0025-0076) 光催化沉积制备担载钯膜的方法
(1010731-0039-0077) 回旋电子增强热丝化学气相沉积制备金刚石薄膜的方法
(1010731-0066-0078) 一种制备大面积高质量金刚石膜中抗裂纹的方法
(1010731-0094-0079) 一种用复合纳米碳膜制备大面积场发射冷阴极的方法
(1010731-0086-0080) 电场沉积制备薄膜的方法
(1010731-0047-0081) 超声喷雾法制备大面积透明导电膜专用复合式加热炉
(1010731-0069-0082) 制备纳米金刚石薄膜的辅助栅极热丝化学气相沉积法
(1010731-0127-0083) 避免沉积厚膜发生脱层的方法及其制造的太阳能电池
(1010731-0040-0084) 用于化学汽相淀积的有机金属化合物及其制造方法贵金属膜及贵金属化合物膜的化学汽相淀积法
(1010731-0011-0085) 一种高沉积速率制备锂离子固体电解质薄膜的方法
(1010731-0131-0086) P型半导体氧化锌薄膜,其制备方法和使用透明基片的脉冲激光沉积方法
(1010731-0009-0087) 采用电泳技术制备大面积高温超导钡钇铜氧厚膜的方法
(1010731-0123-0088) 双加热装置及其化学气相沉积法制备多层超导薄膜工艺
(1010731-0142-0089) 一种用常压化学气相沉积法制备Ti5Si3薄膜的方法
(1010731-0026-0090) 制备类金刚石薄膜的电化学沉积方法及其装置
(1010731-0054-0091) 一种凹印版及其制作方法和真空沉积镀膜装置
(1010731-0010-0092) 一种能够大面积制备锂离子固体电解质薄膜的方法
(1010731-0121-0093) 碳纳米管场致发射薄膜的电泳阳极沉积制备方法
(1010731-0022-0094) 低压化学气相沉积氧化钛簿膜的低漏电流电极的制作方法
(1010731-0019-0095) 金属镀膜电容器用锌沉积基材及其制造方法
(1010731-0081-0096) 一种热蒸发制备大面积薄膜的方法与装置
(1010731-0126-0097) 电化学组合沉积制备碳纳米管-金属复合膜结构的方法
(1010731-0034-0098) 阴极电弧蒸镀方式淀积类金刚石碳膜的制备方法
(1010731-0058-0099) 一种大面积有序多孔膜材料及其制备方法
(1010731-0102-0100) 高密度电浆化学气相沉积制程及改善膜厚均匀性的方法
(1010731-0032-0101) 一种能治疗**、精索鞘膜积水的中药制剂及其制备方法
(1010731-0077-0102) 超声快速沉积法制备纳米氧化物透明导电膜的设备及方法
(1010731-0013-0103) 一种制备金属及合金薄膜的金属有机化学气相淀积法
(1010731-0100-0104) 一种原位沉积制备全固态薄膜锂电池的设备和方法
(1010731-0020-0105) 薄膜半导体器件、薄膜半导体器件的制造方法、液晶显示装置、液晶显示装置的制造方法、电子设备,电子设备的制造方法和薄膜淀积方法
(1010731-0115-0106) 化学气相沉积法制备薄膜的装置
(1010731-0117-0107) 用于薄膜堆积的分子束源及控制分子束的量的方法
(1010731-0147-0108) 超声快速沉积法制备纳米氧化物透明导电膜的设备
(1010731-0048-0109) 一种制备Fe3O4-Au磁性沉积薄膜的新方法
(1010731-0023-0110) 大面积类金刚石碳膜低温制备方法及装置
(1010731-0061-0111) 一种大面积纳米薄膜太阳能电池的制造方法
(1010731-0090-0112) 一种大面积均匀薄膜或长超导导线的制备方法及其装置
(1010731-0125-0113) 有机金属化学气相沉积法用溶液原料及使用该原料制作的复合氧化物类电介质薄膜
(1010731-0030-0114) 掺杂诱导沉积聚*自组装超薄膜的制备方法
(1010731-0036-0115) 光学膜积层芯片的制法
(1010731-0037-0116) 化学气相沉积两步法制备大面积硼化镁超导薄膜工艺
(1010731-0095-0117) 利用沉积法制备铁电单晶膜结构的方法
(1010731-0129-0118) 常温常压下等离子体化学气相沉积制备纳米晶TiO2薄膜的方法
(1010731-0107-0119) 掩膜遮蔽变角度沉积制作纳米周期结构图形的方法
(1010731-0111-0120) 用电化学沉积制备锰掺杂的氧化锌薄膜和纳米柱的方法
(1010731-0049-0121) 用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法
(1010731-0082-0122) 一种热蒸积制备大面积薄膜的方法和装置
(1010731-0007-0123) 制备大面积高温超导厚膜的方法和专用设备
(1010731-0043-0124) MgB2超导薄膜的原位热丝化学气相沉积制备方法
(1010731-0002-0125) 化学汽相淀积法制膜技术及制膜设备
(1010731-0038-0126) 积雪甙防粘膜及制备方法
(1010731-0008-0127) 液相源雾化微波等离子体化学气相沉积制备薄膜的方法
(1010731-0087-0128) 一种用于场发射显示器阴极的大面积碳纳米管薄膜制备方法
(1010731-0059-0129) 制造图案化气相沉积膜的方法
(1010731-0128-0130) 包装用积层膜及其制造方法
(1010731-0062-0131) 用*络合水基电沉积液制备硫氰酸亚铜薄膜的方法
(1010731-0075-0132) 低电介绝缘层的汽相淀积方法、利用该低电介绝缘层的薄膜晶体管及其制造方法
(1010731-0122-0133) 电化学沉积-烧结法制备发光薄膜材料的方法
(1010731-0024-0134) 控制由加工半导体的沉积设备所形成的膜层厚度的方法
(1010731-0098-0135) 一种p型ZnO薄膜的金属有机物化学气相沉积制备方法
(1010731-0060-0136) 一种电泳复合沉积制备铁电、介电厚膜的方法
(1010731-0101-0137) 离子束增强沉积制备P-型氧化锌薄膜的方法
(1010731-0068-0138) 电沉积法制备质子交换膜燃料电池电极时抑制析氢的方法
(1010731-0138-0139) 薄膜积层体及其制造方法
(1010731-0091-0140) 超声快速沉积法制备透明导电膜的专用喷头
(1010731-0078-0141) 大面积内部串联染料敏化纳米薄膜太阳电池及其制作方法
(1010731-0089-0142) 通过循环沉积制备金属硅氮化物薄膜的方法
(1010731-0053-0143) 一种采用共溅射沉积法制备碲化铋合金薄膜的方法
(1010731-0080-0144) 由热化学气相沉积制造氮化硅薄膜和氮氧化硅薄膜的方法
(1010731-0141-0145) 一种银沉积改性纳米ZnO薄膜的制备方法
(1010731-0051-0146) 改善单室沉积本征微晶硅薄膜的制备方法
(1010731-0018-0147) 一种电化学沉积-热解烧制氧化物薄膜的方法
制作方法 ,积法制膜生产加工工艺制备技术大全 制作工艺,积法制膜生产加工工艺制备技术大全
配方比例, 积法制膜生产加工工艺制备技术大全 技术研究应用参考,积法制膜生产加工工艺制备技术大全
常见问题说明

1、资料保证真实吗?
        您在任何一个地方购买专利文献资料,完全不用担心真实性问题,资料跟其他商品不同,任何一个地方没有能力杜撰出如此多的资料,也没有这个必要。我们在此保证,所有资料保证为真实国家专利文献原版全文说明书,发明人当初向专利局提交什么资料,我们就给你什么,原版全文,一字不差的,可以到当地专利部门查证!

2、提供技术咨询吗?
        所谓术业有专攻,我们是一个技术信息服务平台,专注于提供技术文献资料服务,但不提供技术培训和技术指导。需要技术指导的话,可以联系发明人寻求技术转让,转让费可以跟发明人直接洽谈。

3、原材料容易采购么?
        首先,大部分原料都是比较普通的,很多地方都会有;其次,即便某些技术文献中提到个别稀缺原料当地没有,现在网络这么发达,在阿里巴巴等B2C平台上一搜,会找到很多原料供应商,这个在互联网时代不是什么难事了;大部分企业也都这样采购原料的。

4、如何保障质量和信誉?
        第一:我们统一采用货到付款的方式,无需转款,收到资料的时候把钱给快递即可,安全方便;第二:我们支持现场验货,让你买的明白放心;第三:邮寄过程中,如果U盘或者移动硬盘或资料损坏,我们都是免费重发;另外在收到U盘或者移动硬盘和资料后,如有需要,可以联系我们免费网传一份到你邮箱备份,而且今后不论什么原因,如U盘或者移动硬盘弄丢或损坏,都可以随时找我们免费补发资料到邮箱,让您没有后顾之忧。

购买方式

1、货到付款:本站所有资料均支持货到付款方式,货到付款主要以顺丰快递为主。

2、网银及支付宝:请您与客服联系获取支付宝交易方式及微信支付方式等。

3、上门购买:如果您已经对您看到的资料有了了解,欢迎您直接到公司购买。 请您在出发前先电话确认一下,以便我们安排时间接待,谢谢!

关于快递时效

快递派送时效请以快递公司公布为准,我们会在每天下午五六点钟统一安排快递发出,快递单号您可以与我们的客服人员联系 。

关于收货验货

我们支持任何方式的验货,请您在签收快递前与快递派送人员耐心协商,如遇到快递不配合验货,或者其他问题,可以当场与我们联系,我们会协调处理。

关于资料内容

资料主要在U盘或者移动硬盘中,U盘或者移动硬盘有U盘或者移动硬盘盒保护。一旦出现因包装问题导致的资料损坏。即使您已经签收,也可以联系我们进行调换。

关于售后服务

我们提供两个售后服务,客户的资料U盘或者移动硬盘有任何问题,都可以联系我们进行资料恢复,资料恢复有电子版和U盘或者移动硬盘版两种。电子版是免费恢复至邮箱,U盘或者移动硬盘版需要您支付快递费用和U盘或者移动硬盘费用成本。此外,今后如果有同类新专利文献资料出现,免费更新,如有需要,可以每六个月联系我们免费索取。

关于我们

我们以“为发明人搭桥、为创新者铺路”为宗旨,为发明人提供技术转让渠道,为技术需求者提供引进技术的信息向导,为科研人员提供研究参考的资料,促进科技成果转化,希望能给广大发明人和企业间牵线搭桥,创造更多合作机会。同时与相关律师所合作,提供知识产权相关的法律维权服务,致力于打造成为一个全面的科技信息服务平台。

专利文献的阐述:专利文献信息是专利制度的产物,专利制度规定专利申请人在申请专利时须提交描述发明创造技术内容和限定专利保护范围的文件。专利机构则以保护为条件将该文件公之于众。记录发明创造的专利文献由此产生。每年全世界公布的专利文献约为150万件,累计至今6300多万件,排除同族专利,记载的发明创造约1600万项。

专利文献中含有每一件专利的保护范围信息(权利要求书)、专利地域效力信息(申请的国家、地区)、专利时间效力信息(申请日期、公布日期)。专利文献信息恰似一面镜子,只要随时照一照(检索专利的法律信息),就可以实现自我约束,避免纠纷发生。任何竞争对手都要尊重他人的知识产权,杜绝恶意侵权行为,避免无意侵权过失,以形成良好的市场竞争氛围。

此外,专利文献中含有每一件申请专利的发明创造的具体技术解决方案(说明书)。在专利文献中记载了从航天、生物等高科技到人类生活日用品各方面的发明创造。研究本领域专利文献中记载的发明创造,对于企业创新具有非常重要的作用:不仅可使企业避免重复研究,节约研究时间(缩短60%科研周期)和经费(节约40%的科研经费),同时还可启迪企业研究人员的创新思路,提高创新的起点,实现创新目标。

法律声明:为方便大家,我们将专利文献汇集成套,仅收取一些资料搜集整理费。我站提供的专利信息仅供用于对行业技术先进性的了解、科学研究或实验,不意味任何专利转让或专利授权,所有技术的版权归原作者所有,本站不对其可操作性负责。

根据中国《专利法》第六十九条第四款:专为科学研究和实验而使用有关专利的,不视为侵犯专利权。用户若因此之外一切行为造成法律冲突或纠纷,本站概不负责!

请每一位客户都在国家法律许可范围内合理使用专利信息,尊重和保护发明人合法权益,如需专利转让或授权,请联系发明人!


回到首页
联系我们
立即购买《货到付款》